静电场中高斯定理的表达式（高斯定理在静电场中如何应用？）

　　高斯定理表达式为：$\\oint_S \\vec{E}\\cdot \\mathrm{d}\\vec{A}=\\frac{Q}{\\epsilon_0}$，其中$S$为任意闭合曲面，$\\vec{E}$为曲面上某点的电场强度，$\\mathrm{d}\\vec{A}$为曲面上某点的面积微元，$Q$为曲面内的电荷总量，$\\epsilon_0$为真空介质中的电容率。

　　高斯定理表明，电场的通量与该闭合曲面内的电荷总量成正比，与该曲面的形状和大小无关。高斯定理是求解静电场问题的重要工具之一。